Электрокары инициируют переход на свежие силовые транзисторы

Мы не первый раз встречаем информацию о потребности прохода на свежую силовую элементную основу. Классические силовые транзисторы MOSFET на основе кремниевых подложек имеют ряд минусов, которые при других жизненных обстоятельствах представлялись неважными. Переходные процессы в MOSFET ведут к ненужным утратам, что при желании к массовой электрификации наземного автотранспорта смотрится как расточительство.

По центру триод на подложке из карбида кремния, слева на стандартной кремниевой

По центру триод на подложке из карбида кремния, слева на стандартной кремниевой

Также, при других равновеликих рабочих данных транзисторы на основе свежих элементов — на подложках из карбида кремния (SiC, silicon carbide) и нитрида галлия (GaN) — оказываются существенно меньше по размерам, чем классические силовые детали. Просто говоря, блоки питания следующего поколения могут убавиться в габаритах на 80–90 %.

Свежие элементы позволят ощутимо снизить объемы блоков питания (образец Тойота)

Свежие элементы позволят ощутимо снизить объемы блоков питания (образец Тойота)

По словам специалистов компании Yole Development, в обозримые годы изготовители силовых частей в массе откажутся от применения кремниевых подложек для производства силовых транзисторов. Основной движущей мощью прохода на свежие подложки гарантируют стать смешанные и исключительно спортивные машины. Докладывается, что абсолютное большинство создателей электронных устройств с применением элементов SiC/GaN недалеки к заключению неприятностей, как правило появляющихся при проходе к групповому изготовлению новой продукции.

2 сценария повышения рынка силовых частей на свежих м атериалах: стандартный и подрывной (Yole)

2 сценария повышения рынка силовых частей на свежих элементах: стандартный и подрывной (Yole)

Помимо силовых частей для электрокаров элементы SiC/GaN ожидается применять для полного комплекса электроники — как низковольтной (до 600 В), так и высоковольтной (до 3300 В). Это модели компенсации коэффициента производительности (PFC), солнечная и ветроэнергетика, блоки верного питания и прочее.

Главные игроки на рынке свежих силовых полупроводников и их рыночные части (Yole)

Главные игроки на рынке свежих силовых полупроводников и их рыночные части (Yole)

Господствовать на рынке силовых частей с применением SiC/GaN продолжат 2 компании: Infineon и Cree, которым по результатам 2014 года принадлежит 68 % нового рынка. Другие 32 % рынка разделяют между собой компании Rohm, STMicroelectronics, GE, Fuji Electric и прочие. Предполагается, что до 2020 года рынок силовых полупроводников на свежих элементах умножиться втрое и превзойдет уровень реализаций в 436 млрд долларов.

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий